tek bileşimli transistör. Özellikle transistörlerin iletken yapılması için (ateşlenmesi, tetiklenmesi) geliştirilmiş bir yarı iletken elektronik devre elemanıdır. Silisyum bir çubuğun yaklaşık ortasından birleştirilmiş (bir diyot gibi) yarı iletken, genelde elektrikî titreşimi yapar (osilatör). B2 ve B1 arasına, yâni her iki tabana bir doğru akım uygulanır. UJT normal bir direnç gibi B2 ile B1 arasında âni bir akım artmasına sebep olur. Bu olaya negatif direnç etkisi denir. Bu etkiden özellikle osilatörlerde (elektrikî titreşim yapan devrelerde) istifâde edilir.